点击图片查看原图HC-AM系列电光强度调制器利用铌酸锂晶体的电光效应采用推挽式马赫曾德干涉结构实现对光信号的强度调制，具有低插入损耗、高调制带宽、高消光比、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中电光信号转换，光边带的产生，量子通信中的高消光比光脉冲产生以及微波光纤链路等*域。
产品特点
多个工作波长
低半波电压
高带宽
低插入损耗
应用范围
高速光纤通信系统
微波光纤链路
量子通信
性能参数
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参数 |
符号 |
AM-08 |
AM-10 |
AM-15-10 |
AM-15-20 |
AM-15-40 |
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工作波长 |
l |
770~880nm |
1064±60 |
1550±100nm |
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波导工艺 |
钛扩散或质子交换APE |
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插入损耗 |
IL |
<3 dB |
<3 dB |
<4 dB |
<4 dB |
<4 dB |
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光回波损耗 |
ORL |
-40 dB |
-45 dB |
-45dB |
-45dB |
-45dB |
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工作带宽（-3dB）-RF |
高频 |
S21 |
>10GHz |
>10GHz- |
>10GHz |
>20GHz |
>28GHz |
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低频 |
|
<10MHz |
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上升时间10%~90% |
tr |
35ps |
35ps |
35ps |
18ps |
11ps |
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半波电压@50KHz, RF |
Vπ |
4V |
4V |
4V |
4.5V |
4V |
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半波电压@Bias |
Vπ |
6V |
6V |
5V |
5V |
5V |
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消光比 |
ER |
>20dB |
>20dB |
>20dB，典型25dB |
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输入阻抗 |
ZRF |
50W@RF, 1MW@Bias |
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电接口 |
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2.92mm(f) |
1.85mm(f) |
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电回波损耗 |
S11 |
<-10dB |
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输入光纤 |
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PM780 |
PM980 |
PM1550 Panda 慢轴对准 |
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输出光纤 |
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PM780 |
PM980 |
PM1550 Panda 慢轴对准 |
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光纤接口 |
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FC/APC 或客户指定 |
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工作温度 |
Top |
-20~70°C |
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存储温度 |
Tst |
-40~80°C |
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电信号输入功率-RF |
Pi |
<27dBm |
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电压输入范围-BIAS |
Vi |
±15V |
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*大输入光功率 |
Po |
20mW |
100mW |
50mW(钛扩散)，200mW(质子交换APE) |
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